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产品属性
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产品型号:AOTF12N60L
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
最大漏极电流Id(A):12
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.55 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):50
输入电容Ciss(PF):1751 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):20
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):450
导通延迟时间Td(on)(ns):39 typ.
上升时间Tr(ns):70 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):122 typ.
下降时间Tf(ns):74 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,12A N-沟道增强型场效应晶体管
AOTF12N60L,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,12A,0.55Ω
AO
TO-220F
无铅环保型
直插式
1000/盒
供应 场效应管 AOD496 , AOD448 ,D484,D496
供应 场效应管 AP9565GEH 9565GEH
供应 场效应管 AOD472 , AOD472A ,D472A,D472
供应 场效应管 STF13NM60N,13NM60N
供应 场效应管 TPC8062-H TPC8085
供应 场效应管 CEP3205
供应 场效应管 FDB8880,FQB60N03L,FQB60N03
供应 场效应管 TK15A60D,TK15A60,K15A60D
供应 场效应管 MECP01,CEU3055L,CEU3055
供应 场效应管 FQPF10N20C,FQPF32N20C,FQPF10N20