供应 场效应管 FDB8880,FQB60N03L,FQB60N03

MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
产品型号:FDB8880

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

最大漏极电流Id(A):54

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0116

开启电压VGS(TH)(V):2.5

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):SOT-263  /-55 ~150

描述:30V,54 A N-Channel 功率MOSFET

产品型号:FQB60N03L

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

最大漏极电流Id(A):51

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0135

开启电压VGS(TH)(V):3

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):SOT-263  /-55 ~150

描述:30V,51A  N-Channel 功率MOSFET

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