供应 场效应管 BSC016N04LSG,016N04LS,BSC016N04

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BSC016N04LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,40V,100A,0.0016Ω

 

Parameter Symbol Conditions Value Unit
Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 40 V
Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 100 A
Pulsed drain current IDM TC=25℃ 400 A
Avalanche energy, single pulse EAS ID=50A, RGS=25 295 mJ
Gate source voltage VGS   ±20 V
Power dissipation Ptot TC=25℃ 139 W
Gate threshold voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=85µA 2 V
Drain-source on-state resistance RDS(on) VGS=10V, ID=50A 1.6 m
Input capacitance Ciss VGS=0V,VDS=15V, f=1MHz 8900 PF
Transconductance gfs |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=50A 190 S

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型号/规格

BSC016N04LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,40V,100A,0.0016Ω

品牌/商标

INFINEON(英飞凌)

封装形式

QFN-8 5*6/PG-TDSON-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

5000/盘