供应 场效应管 SSM6N29TU SSM6N36TU

SSM6N29TU,SOT-323-6,SMD/MOS,双N,20V,0.8A,0.143Ω，带二极静电保护

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

应用:
 * High Speed Switching Applications/高速开关应用

特点：
 * 1.8 V驱动器
 * 双N沟道
 * 低导通电阻：Ron = 235 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V)
             : Ron = 178 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V)
             : Ron = 143 mΩ (max) (@VGS = 4.0 V)

产品型号:SSM6N29TU

封装:SOT-323-6

品牌：TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20

夹断电压VGS(V):±12

最大漏极电流Id(A):0.8

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.143 @VGS = 4 V

开启电压VGS(TH)(V):1

功率PD(W):0.5

输入电容Ciss(PF):268 typ.

通道极性:双N沟道

低频跨导gFS(s)：3.75

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):9 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):16 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:SSM6N29TU,20V,0.8A 双N-沟道增强型场效应晶体管

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