供应 场效应管 SSM3J56MFV PW

SSM3J56MFV,SOT-723（1.2*1.2）,SMD/MOS,P场,-20V,-0.8A,0.39Ω，带二极(ESD)静电保

护

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type

应用:

 * Load Switching Applications/负载开关应用

特点：
 * 1.2 V驱动器
 * 低导通电阻：: RDS(ON) = 390 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)
               : RDS(ON) = 480 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)
               : RDS(ON) = 660 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V)
               : RDS(ON) = 900 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V)
               : RDS(ON) = 4000 mΩ (max) (@VGS = -1.2 V)

产品型号:SSM3J56MFV

封装:SOT-723

品牌：TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20

夹断电压VGS(V):±8

最大漏极电流Id(A):-0.8

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.39 @VGS = -4.5 V

开启电压VGS(TH)(V):-1

功率PD(W):0.5

输入电容Ciss(PF):100 typ.

通道极性:P沟道

低频跨导gFS(s)：1

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):8 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):26 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:SSM3J56MFV,-20V,-0.8A,P-沟道增强型场效应晶体管

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