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产品属性
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产品型号:TK5A65D
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650
夹断电压VGS(V):±30
最大漏极电流Id(A):5
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):1.43 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):40
输入电容Ciss(PF):800 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):2.6
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):180
导通延迟时间Td(on)(ns):40 typ.
上升时间Tr(ns):20 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):60 typ.
下降时间Tf(ns):12 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:650V,5A N-沟道增强型场效应晶体管
TK5A65D,TO-220F,DIP/MOS,N场,650V,5A,1.43Ω
TOSHIBA(东芝)
TO-220F
无铅环保型
直插式
2500/盒