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产品属性
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SSM6J206FE,TOSHIBA,SOT-563,SMD/MOS,P场,-20V,-2A,0.13Ω,带二极静电保护
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type
应用:
* 高速开关应用
* 电源管理开关应用
特点:
* 1.8V驱动器
* 低导通电阻:Ron = 460 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V)
:Ron = 306 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)
:Ron = 234 mΩ (max) (@VGS = -4.0 V)
产品型号:SSM6J206FE
封装:SOT-563
品牌:TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20
夹断电压VGS(V):±8
最大漏极电流Id(A):-2
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.13 @VGS = -4 V
开启电压VGS(TH)(V):-1
功率PD(W):0.5
输入电容Ciss(PF):335 typ.
通道极性:P沟道
低频跨导gFS(s):4
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):20 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):20 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:SSM6J205FE,-20V,-2A P-沟道增强型场效应晶体管
深圳市金城微零件有限公司
地址:深圳市福田区华富路航都大厦13E
专业经营:各种三极管、场效应管、可控硅、稳压IC、开关电源IC、肖特基、IGBT等
(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
SSM6J206FE
TOSHIBA(东芝)
SOT-563-6
无铅环保型
贴片式
4000/盘
供应 场效应管 CMU5N50
供应 场效应管 FDB8880,FQB60N03L,FQB60N03
供应 场效应管 L1084DG-3.3,L1084G-3.3,L1084DG
供应 场效应管 IRF640NPBF,IRF640N,LVP640
供应 场效应管 P75N02LDG
供应 场效应管 TK20A60,TK20A60U,K20A60U
供应 场效应管 SSD4030P SSD1030P SSD2030P
供应 场效应管 2SK4003,K4003
供应 场效应管 FQPF7N50,FDPF7N50,MDF7N50,7N50
供应 场效应 KIA20N50HM ,KIA20N50 ,20N50