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产品属性
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产品型号:TK15A60D
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
最大漏极电流Id(A):15
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.37
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):50
输入电容Ciss(PF):2600 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):8.5
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):527
导通延迟时间Td(on)(ns):100 typ.
上升时间Tr(ns):50 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):150 typ.
下降时间Tf(ns):25 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,15A N-沟道增强型场效应晶体管
TK15A60D,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,15A,0.37Ω
TOSHIBA(东芝)
TO-220F
无铅环保型
直插式
2500/盒
供应 场效应管 ISL9N306AS3ST,ISL9N306,N306AS
供应 场效应管 AP85T03GJ ,AP85T03J,85T03GJ
供应 场效应管 TK6A65,TK6A65D,K6A65D
供应 650V COOLMOS IPI65R110CFD 65F6110
供应 场效应管P0903BDG P0603BDL
供应 AP场效应管 AP15N03GH , 15N03 ,15N03GH
供应 场效应管APM8001K APM4340K
供应 场效应管 CMP80N70,CMP80N06,CMP7575A
供应 场效应管 APM2510,APM2510NUC,APM2510NU
供应 场效应管 AP01L60,AP01N60,01L60