供应 场效应管 STD3NK80Z-1,D3NK80Z,STD3NK80

产品型号:STD3NK80Z-1 开关应用
极高dv/dt能力
100%的雪崩测试
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
制造业重复性非常好

封装:TO-251

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):800

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):2.5

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):4.5 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4.5

功率PD(W):70

输入电容Ciss(PF):485 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：2.1

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):170

导通延迟时间Td(on)(ns):17 typ.

上升时间Tr(ns):27 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):36 typ.

下降时间Tf(ns):40 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:800V，3.8Ω，2.5A，IPAK N-通道带齐纳二极管保护SuperMES功率MOSFET