CMU417,Cmosfet,TO-251 , -30V ,-30A ,0.03Ω
CMU401,Cmosfet,TO-251 , -60V, -18A,0.13Ω
AOU401,AO,TO-251,P场,-60V,-20A
FQU11P06TU,FAIRCHILD,TO-251,P场,-60V,-11A
FQU17P06,FAIRCHILD,TO-251,P场,-60V,-12A
IRFU9024N,IR,TO-251,P场,-60V,-8.8A
2SJ599,NEC,TO-251,P场,-60V,-20A

FQU11P06 − P 沟道 QFET^® MOSFET -60V，-9.4A，185mΩ

该P沟道增强型功率MOSFET产品采用飞兆半导体^®的专有平面条形和DMOS技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些设备适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。.

产品特性

• -9.4 A, -60 V, R_DS(on) = 185 mΩ（最大值）@V_GS = -10 V，I_D = -4.7 A
• 低栅极电荷（典型值13nC)
• 低 C_rss（典型值45pF)
• 100%经过雪崩击穿测试

应用场景

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