场效应管 STP80NF55-08,80NF55-08

产品型号:STP80NF55-08

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):55

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.008

最大漏极电流Id(on)(A):80

功率PD(W):300

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):TO-220 4/-55 ~150

描述:55 V, 80A 功率 MOSFET

应用
■ 开关应用

描述
这是功率MOSFET的最新发展意法半导体独有的“单一的功能尺寸”带为基础的进程。由此产生的晶体管显示了极高的堆积密度低导通电阻，坚固耐用的雪崩特性，少批评对齐步骤因此，一个了不起的制造重复性

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型号/规格

STP80NF55-08,TO-220,DIP/MOS,N场,55V,80A,0.008Ω

品牌/商标

ST（意法半导体）

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

1000/盒

供应 场效应管 STP80NF55-08,80NF55-08