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产品属性
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产品型号:BSC059N03SG
封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
雪崩能量EAS(mJ):150
最大漏极电流Id(A):50
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0055 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2
功率PD(W):48
极间电容Ciss(PF):2010 TYP
通道极性:N通道
低频跨导gFS(s):84
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,50A, N-channel OptiMOS Power-MOSFET
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BSC059N03SG,PG-TSDSON-8,30V,50A,5.5mΩ
INFINEON(英飞凌)
QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
无铅环保型
贴片式
5000/盘
供应 场效应管 P0550BT,P0550AT,P0850AT
供应 场效应管 , TK50E06K3 ,K50E06K3 ,TK50E06
供应 场效应管 EMA06N03A,EMA09N03A
供应 场效应管 SI2311,2311,SI2329DS
供应 场效应管 AO3401,AO3403L,AO3403
供应 场效应管 AO3416,AGSA,AP2306N
供应 场效应管 NTD110N02RT4G,NTD110N02,T110N2G
供应 场效应管 FDPF5N50NZU FDPF5N50
供应 场效应管 CEP9060N,STP90N55F4,90N55F4
供应 场效应管 IRFS840A,IRFS840B,IRFS840