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产品属性
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MOS管,广泛应用于电池充电器,普通电源,智能开关电源,灯具
功率开关,LED,车载,玩具,电动车,电脑主板.
产品型号:CEP840G
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500
夹断电压VGS(V):±30
最大漏极电流Id(A):8
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.85
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):125
极间电容Ciss(PF):1240
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220 /-55 ~150
描述:500V, 8A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
CEP840G,TO-220,DIP/MOS,N场,500V,8A,0.85Ω
CET/华瑞
TO-220
普通型
直插式
1000/盒
供应 场效应管 2SK2920TE 2SK2920 K2920
供应 场效应管 TK14A45DA,K14A45DA
供应 场效应管 BSC018N04,018N04LS,BSC018N04LSG
供应 场效应管 BSZ0906NS,0906NS
供应 场效应管 SI2308DS,SI2310,Si2308
供应 场效应管 BSC093N04LSG,093N04LS,BSC093N04
供应 场效应管2SK3919 K3919 2SK3918 K3918
供应 场效应管AOI4144 I4144
供应 场效应管 FQPF10N20C FQPF32N20C
供应 场效应管 TPC8213-H TPC8218-H