供应 场效应管 FQB9P25,FQB4P25,9P25,4P25

MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
产品型号:FQB9P25

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-250

最大漏极电流Id(A):-9.4

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.62

开启电压VGS(TH)(V):-5

通道极性:P沟道

封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150

描述:-250V, -9.4A P-Channel MOSFET

产品型号:FQB4P25

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-250

最大漏极电流Id(A):-4

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):2.1

开启电压VGS(TH)(V):-5

通道极性:P沟道

封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150

描述:-250V, -4A P-Channel MOSFET

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