图文详情
产品属性
相关推荐
产品型号:TK4A60D
特点
(1) 低漏源导通电阻: RDS(ON) = 1.4 Ω (typ.)
(2) 高正向传输导纳: |Yfs| = 2.5 S (typ.)
(3) 低漏电流: IDSS = 10uA (max) (VDS = 600 V)
(4) 增强模式: Vth = 2.4 to 4.4V (VDS=10V,ID=1mA)
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
最大漏极电流Id(A):4
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):1.7 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4.4
功率PD(W):35
输入电容Ciss(PF):600 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):2.5
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):187
导通延迟时间Td(on)(ns):40 typ.
上升时间Tr(ns):18 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):55 typ.
下降时间Tf(ns):8 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,4A N-沟道增强型场效应晶体管
TK4A60D,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,4A,
TOSHIBA(东芝)
TO-220F
无铅环保型
直插式
单件包装
供应 场效应管 IRF640NPBF,IRF640N,LVP640
供应 场效应管 FQPF12N60,FQPF12N60C,FQPF12N60NZ
供应 场效应管NTD80N02T4G 80N02G
供应 场效应管 FQP5N60,FQP5N60C,FDP5N60,5N60
供应 场效应管 BSZ035N03LSG,035N03L
供应 场效应管 TPC8032-H,NCE3010S
供应 场效应管 BSC079N10NSG,079N10NS,BSC079N10
供应 MOS TPCA8106 TPCA8120 TPCA8109
供应 场效应管 TK12E60U,TK12E60,K12E60U
供应 场效应管 HAT2192WP,HAT2192,HAT2200