供应 场效应管 HAT2192WP,HAT2192,HAT2200

产品型号:HAT2200WP

封装:QFN-8 5*6/WPAK

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):100

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):20

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.028 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):5

功率PD(W):20

输入电容Ciss(PF):2300 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：4.5

单脉冲雪崩能量EAR(mJ):40

导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ.

上升时间Tr(ns):9.5 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):31 typ.

下降时间Tf(ns):4.6 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:100V,20A N-沟道增强型场效应晶体管

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