供应 场效应管 TPC8059-H

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TPC8059-H,SOP-8,SMD/MOS,N场,30V,18A,0.004Ω

产品型号:TPC8059-H
1。应用
(1)高效率的DC-DC转换器
(2)笔记本电脑
(3)移动手机

封装:SOP-8

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):18

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.004 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2.3

功率PD(W):1.9

输入电容Ciss(PF):2900 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):421

导通延迟时间Td(on)(ns):12 typ.

上升时间Tr(ns):3.2 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):42 typ.

下降时间Tf(ns):8 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:30V,18A N-沟道增强型场效应晶体管

 

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型号/规格

TPC8059-H,SOP-8,SMD/MOS,N场,30V,18A,0.004Ω

品牌/商标

TOSHIBA(东芝)

封装形式

SOP-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

2500/盘