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产品属性
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产品型号:TPC8059-H
1。应用
(1)高效率的DC-DC转换器
(2)笔记本电脑
(3)移动手机
封装:SOP-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
最大漏极电流Id(A):18
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.004 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.3
功率PD(W):1.9
输入电容Ciss(PF):2900 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):421
导通延迟时间Td(on)(ns):12 typ.
上升时间Tr(ns):3.2 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):42 typ.
下降时间Tf(ns):8 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,18A N-沟道增强型场效应晶体管
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TPC8059-H,SOP-8,SMD/MOS,N场,30V,18A,0.004Ω
TOSHIBA(东芝)
SOP-8
无铅环保型
贴片式
2500/盘
供应 场效应管 AO4818L , AO4818 , 4818
供应 60V MOSFET CMD20N06L 20N06
供应 场效应管 AO3405 , AO3407A , AO3409
供应 场效应管 MDD3754RH ,MDD3754,SFT1307,T1307
供应 场效应管 2SK2876,2SK2876-01MR,K2876
供应 场效应管 SSM3J135TU JJN SSM3J327R KFG
供应 场效应管 APM2510,APM2510NUC,APM2510NU
供应 场效应管 CMF30N06L,CMF30N06,30N06,50N06
供应 场效应管 SSM3K35MFV SSM3K38MFV
代理KIA MOS管,KIA12N60HF,KIA12N60,12N60