供应 场效应管 SSM3K35MFV SSM3K38MFV

SSM3K35MFV,TOSHIBA,SOT-723,SMD/MOS,N场,20V,0.18A,3Ω，带二极静电保护

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type

应用:
 * 高速开关应用
 * 模拟开关应用

特点：
 * 1.2V驱动器
 * 低导通电阻：Ron = 20 Ω (max) (@VGS = 1.2 V)
             ：Ron = 8 Ω (max) (@VGS = 1.5 V)
             ：Ron = 4 Ω (max) (@VGS = 2.5 V)
             ：Ron = 3 Ω (max) (@VGS = 4.0 V)

产品型号:SSM3K35MFV

封装:SOT-723

品牌：TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20

夹断电压VGS(V):±10

最大漏极电流Id(A):0.18

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):3 @VGS = 4 V

开启电压VGS(TH)(V):1

功率PD(W):0.15

输入电容Ciss(PF):9.5 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(ms)：115

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):115 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):300 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:SSM3K35MFV,20V,0.18A,3Ω N-沟道增强型场效应晶体管

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