深圳市金城微零件有限公司
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产品属性
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产品型号:BSZ130N03MS
封装:QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
雪崩能量EAS(mJ):9
最大漏极电流Id(A):35
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0115 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2
功率PD(W):25
极间电容Ciss(PF):970
通道极性:N通道
低频跨导gFS(s):45
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,35A,OptiMOS?3 M-Series Power-MOSFET
(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
BSZ130N03MSG,QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,35A.
INFINEON(英飞凌)
QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8
无铅环保型
贴片式
5000/盘
供应 场效应管 SSM6N36FE SSM6N16FE
供应 场效应管 AO6400,AO6704,AO6402,AO6402A
供应 场效应管 SSM3K44FS SSM3K15AFS
供应 场效应管 FQP12N60,FQP12N60C,FDP12N60
供应 场效应管 AP40T03GH 40T03GH
供应 场效应管 FCPF13N60NT,FCPF13N60
供应 场效应管 TK13A65U,TK13A65,K13A65U
供应场效应管 TPCA8023-H
供应场效应管 AO4406AL,AO4418,AO4456,AO4468
供应 场效应管,P0603LDG,P3003EDG
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