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产品属性
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产品型号:TK13A65U
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650
夹断电压VGS(V):±30
最大漏极电流Id(A):13
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.38
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):40
输入电容Ciss(PF):950 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):1.6
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):86
导通延迟时间Td(on)(ns):65 typ.
上升时间Tr(ns):30 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):80 typ.
下降时间Tf(ns):8 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:650V,13A N-沟道增强型场效应晶体管
TK13A65U,TO-220F,DIP/MOS,N场,650V,13A,0.38Ω
TOSHIBA(东芝)
TO-220F
无铅环保型
直插式
2500/盒
供应 场效应管 AO6702L,AO6702,BSL202SN,AO6408
供应 场效应管 FQPF4N90C,SSS4N90A,FQPF4N90
供应场效应管,IRF830,IRF830B,IRF830PBF
供应 场效应管 AO4728L AOL
供应 场效应管 IRF510,IRF510PBF,IRF510A
供应 场效应管 P2804BDG ,P2504BDG,P2504EDG
供应 场效应管 BSC026N02KSG 026N02KS BSC026N02
供应 场效应管 AOTF13N50,TF13N50,AOTF16N50,TF16N50
供应 场效应管 2SK2920TE 2SK2920 K2920
供应 场效应管 SSP3N90A,SSP3N90,FQP4N90C