场效应管 AO6702L,AO6702,BSL202SN,AO6408

产品型号:AO6702L

源漏极间雪崩电压VDSS(V):20

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.5

最大漏极电流Id(on)(A):3.8

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):TSOP-6/-55 ~150

描述:20V 3.8A功率MOSFET

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产品型号:BSL202SN

源漏极间雪崩电压VDSS(V):20

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.022

最大漏极电流Id(on)(A):7.5A

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):TSSOP-6/-55 ~150

描述:20V 7.5A功率MOSFET

型号/规格

AO6702L,MOS,20V,3.8A

品牌/商标

AO

封装形式

TSOP-6

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

3000/盘

功率特征

供应 场效应管 AO6702L,AO6702,BSL202SN,AO6408