供应 场效应管 SSM3J117TU JJ9 SSM3J314T KDU

SSM3J117TU,TOSHIBA,SOT-323,SMD/MOS,P场,-30V,-2A,0.117Ω，带ESD二极静电保护
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type

应用:

 * 高速开关应用

特点：
 * 4.0V驱动器
 * 低导通电阻：Ron = 225 mΩ (max) (@VGS = -4 V)
             ：Ron = 117 mΩ (max) (@VGS = -10 V)

产品型号:SSM3J117TU

封装:SOT-323

品牌：TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):-2

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.117 @VGS = -10 V

开启电压VGS(TH)(V):-2.6

功率PD(W):0.8

输入电容Ciss(PF):280 typ.

通道极性:P沟道

低频跨导gFS(s)：3.1

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):35 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:SSM3J117TU,-30V,-2A,0.117Ω P-沟道增强型场效应晶体管

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