供应 场效应管 SSM3J307T KDP

SSM3J307T,TOSHIBA,SOT-23,SMD/MOS,P场,-20V,-5A,0.031Ω，带二极静电保护

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS

应用:
 * 电源管理开关应用
 * 高速开关应用

特点：
 * 1.5V驱动器
 * 低导通电阻:Ron = 83 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V)
             :Ron = 56 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V)
             :Ron = 40 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)
             :Ron = 31 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)

产品型号:SSM3J307T

封装:SOT-23

品牌：TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20

夹断电压VGS(V):±8

最大漏极电流Id(A):-5

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.031 @VGS = -4.5 V

开启电压VGS(TH)(V):-1

功率PD(W):0.7

输入电容Ciss(PF):1170 typ.

通道极性:P沟道

低频跨导gFS(s)：9.8

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):35 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):160 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:SSM3J307T，-20V,-5A P-沟道增强型场效应晶体管

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