供应 场效应管 AP4435GJ,AP4435,4435GJ

产品型号:AP4435GJ

封装:TO-251

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):-40

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.02 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):-3

功率PD(W):44.6

输入电容Ciss(PF):1160 typ.

通道极性:P沟道

低频跨导gFS(s)：31

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):7.5 typ.

上升时间Tr(ns):64 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):24 typ.

下降时间Tf(ns):94 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:-30V,-40A N-沟道增强型场效应晶体管

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