供应 场效应管 AOTF6N90,AOTF4N90,TF6N90

产品型号:AOTF6N90

概述
该AOTF6N90采用了先进的高电压MOSFET的制造过程，目的是在AC-DC转换应用中提供

较高的性能和稳定性。
通过提供低导通电阻RDS（ON），Ciss和Crss以及雪崩能力保证这零件可通过迅速进

入新的和现有的离线电源设计。

应用范围：
 * 电源开关电路的电源适配器和充电器。
 * HID灯
 * 节能灯镇流器
 * 逆变器

封装:TO-220F

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):900

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):6

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):2.2 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4.5

功率PD(W):50

输入电容Ciss(PF):1196 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):8

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):160

导通延迟时间Td(on)(ns):30 typ.

上升时间Tr(ns):58 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):70 typ.

下降时间Tf(ns):49 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:900V,6A,2.2Ω N-沟道增强型场效应晶体管

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