供应 场效应管 BSC889N03LSG,889N03LS,BSC889N03

地区:广东 深圳
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BSC889N03LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,45A,0.009Ω

 

Parameter Symbol Conditions Value Unit
Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 30 V
Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 44 A
Pulsed drain current ID,pulse TC=25℃ 176 A
Power dissipation Ptot TC=25℃ 28 W
Gate source voltage VGS   ±20 V
Gate threshold voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=250µA 2 V
Avalanche energy, single pulse EAS ID=20A, RGS=25 10 mJ
Drain-source on-state resistance RDS(on) VGS=10V, ID=30A 9.1 m
Input capacitance Ciss VGS=0V,VDS=15V, f=1MHz 1500 PF
Transconductance gfs |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=30A 53 S

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型号/规格

BSC889N03LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,45A

品牌/商标

INFINEON(英飞凌)

封装形式

QFN-8 5*6/PG-TDSON-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

5000/盘