供应 场效应管 2SJ656 J656 2SJ657 J657

2SJ656,TO-220F,DIP/MOS,P场,-100V,-18A,0.0755Ω

产品型号:2SJ656 P-Channl Silicon MOSFET

应用：General-Purpose Switching Device/通用开关设备

特点
 * 低导通电阻。
 * 超高速开关。
 * 4V驱动器。
 * 电机驱动器，DC/ DC转换器。

封装:TO-220F

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-100

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):-18

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0755 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):-2.6

功率PD(W):30

输入电容Ciss(PF):4200 typ.

通道极性:P沟道

低频跨导gFS(s)：20

导通延迟时间Td(on)(ns):30 typ.

上升时间Tr(ns):110 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):340 typ.

下降时间Tf(ns):128 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:2SJ656 -100V,-18A P-沟道增强型场效应晶体管

 
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