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产品属性
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产品型号:TK10A60W
1. Applications
• Switching Voltage Regulators
2. Features
(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.327 Ω (typ.)
by used to Super Junction Structure : DTMOS
(2) Easy to control Gate switching
(3) Enhancement mode: Vth = 2.7 to 3.7 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
最大漏极电流Id(A):9.7
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.38@VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3.7
功率PD(W):30
极间电容Ciss(PF):700
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220F /-55 ~150
描述:600V,9.7A MOSFETs Silicon N-Channel MOS
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TK10A60W
TOSHIBA(东芝)
TO-220F
无铅环保型
直插式
2500/盒
小功率
供应 场效应管 PHD98N03LT PHD98N03
供应场效应管 STP85NF55
供应 场效应管 FQPF4N20,FQPF32N20,FQPF4N20L
供应 场效应管 AP40P03GP ,AP40P03,40P03GP,CMP40P03
供应 场效应管 FX20ASJ-03F
供应 场效应管 CMD1653,CMD06N03,CMD04N03
供应 场效应管 BSZ160N10NS3G,160N10N
供应 场效应管 AO4615,AO4609L,4615,MDS9754A
供应 场效应管 RFP70N03,SFP80N03L,SFP80N03
供应 场效应管 AP4920M ,AP4920,4920M