供应 场效应管 PHD98N03LT PHD98N03

产品型号:PHD98N03LT

封装:SOT-252

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):25

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):75

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0059 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2

功率PD(W):111

输入电容Ciss(PF):3000 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：

导通延迟时间Td(on)(ns):18 typ.

上升时间Tr(ns):80 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):104 typ.

下降时间Tf(ns):104 typ.

温度(℃): -50 ~175

描述:25V,75A N-沟道增强型场效应晶体管

特点:
.Trench技术
.低通态电阻
.快速开关

应用范围：
.电脑主板的高频DC-DC转换器