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产品属性
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产品型号:TK12A60D
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
最大漏极电流Id(A):12
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.55
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):45
输入电容Ciss(PF):1800 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):7.5
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):359
导通延迟时间Td(on)(ns):80 typ.
上升时间Tr(ns):40 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):110 typ.
下降时间Tf(ns):15 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,12A N-沟道增强型场效应晶体管
TK12A60D,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,12A,0.55Ω
TOSHIBA(东芝)
TO-220F
无铅环保型
直插式
2500/盒
供应 场效应管3055 SSD3055LA SSD3055
供应 场效应管 FQP4N90,FQP6N90C,FQP6N90
供应 场效应管 SI7738DP ,SI7738DP-T1-E3
供应场效应管,AOD407,D407,AOD409,D409
供应 场效应管 TPCA8045-H TPCA8046-H
供应 场效应管 SSM6P36FE SSM6P16FE SSM6P15FE
供应 场效应管 CMD60N03,CMD50N03,CMD30N03,50N03
供应 场效应管 FQB47P06,FQB27P06
供应 场效应管 STP19NF20 , 19NF20 ,LVP640
供应 场效应管 HUF76132S3ST,HUF76132,76132S