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产品属性
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产品型号:BSC050N03MSG
封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
雪崩能量EAS(mJ):35
最大漏极电流Id(A):80
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.005 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2
功率PD(W):50
极间电容Ciss(PF):2700 TYP
通道极性:N通道
低频跨导gFS(s):75
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,80A, OptiMOS M-Series Power-MOSFET
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BSC050N03MSG,PG-TSDSON-8,30V,80A,5.5mΩ
INFINEON(英飞凌)
QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
无铅环保型
贴片式
5000/盘
供应 场效应管 FQP50N06,FQP50N06L,SFP50N06
供应 场效应管 TK17A65U,TK17A65,K17A65U
供应 场效应管 BSZ088N03,088N03M,BSZ088N03MSG
供应 场效应管 WFP7N60,KHB7D5N60P1,7D5N60P
供应场效应管 RFP50N06,PFP50N06,STP50N06
供应 场效应管 AOTF8N50,8N50,TF8N50
供应 场效应管 AO3420,AO3414,AO3414L
供应 场效应管 AO3422,AO3460,3422,3460
供应 场效应管 WFU1N80
供应 场效应管 PM8204 TPCS8204