供应 场效应管 AOTF8N50,8N50,TF8N50

产品型号:AOTF8N50

封装:TO-220F

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):8

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.85 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4.6

功率PD(W):38.5

输入电容Ciss(PF):868 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：10

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):307

导通延迟时间Td(on)(ns):19.5 typ.

上升时间Tr(ns):47 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):51.5 typ.

下降时间Tf(ns):38.5 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:500V,8A N-沟道增强型场效应晶体管