场效应管 AON6200L , AON6200 , 6200

产品型号:AON6200L

源漏极间雪崩电压VDSS(V):30

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0078

最大漏极电流Id(on)(A):24

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):DFN 5*6/-55 ~150

描述:30V 24A功率MOSFET

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产品型号:AOD448

源漏极间雪崩电压VDSS(V):30

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.005

最大漏极电流Id(on)(A):75A

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):SOT-252/-55 ~150

描述:30V 75A功率MOSFET

型号/规格

AON6200L,DFN 5*6,MOS,30V,24A

品牌/商标

AO

封装形式

DFN 5*6

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

3000/盘

功率特征

供应 场效应管 AON6200L , AON6200 , 6200