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产品属性
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产品型号:TK7A65D
封装:TO-220F
标记:K7A65D
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650
夹断电压VGS(V):±30
最大漏极电流Id(A):7
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.98 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):45
输入电容Ciss(PF):1200 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):4.5
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):273
导通延迟时间Td(on)(ns):60 typ.
上升时间Tr(ns):25 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):100 typ.
下降时间Tf(ns):12 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:650V,7A N-沟道增强型场效应晶体管
TK7A65D
TOSHIBA(东芝)
TO-220F
无铅环保型
直插式
2500/盒
供应 场效应管 SSP3N90A,SSP3N90,FQP4N90C
供应 场效应管 AO4728L AOL
供应 场效应管 BSC196N10NSG,196N10NS,BSC196N10
供应 场效应管 2SK2640-01MR,2SK2640,K2640
供应 场效应管 TPCA8030-H TPCA8040-H
供应 场效应管 DMC3021LSD,DMC3021LSD-13,C3021LD
供应 场效应管 SSS4N80AS,SSS4N80,SSS3N80
供应 场效应管 BSC118N10NSG,118N10NS,BSC118N10
供应 场效应管 FDB8880,FQB60N03L,FQB60N03
供应 场效应管 AP73T02GH-HF,AP73T02GH,73T02GH