供应 场效应管 BSC196N10NSG,196N10NS,BSC196N10

产品型号:BSC196N10NSG

封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):100

夹断电压VGS(V):±20

雪崩能量EAS(mJ):60

最大漏极电流Id(A):45

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0196 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):78

极间电容Ciss(PF):1700

通道极性:N通道

低频跨导gFS(s)：48

温度(℃): -55 ~150

描述:100V,45A, N-channel OptiMOS Power-MOSFET