图文详情
产品属性
相关推荐
MOS管,广泛应用于电池充电器,普通电源,智能开关电源,灯具
功率开关,LED,车载,玩具,电动车,电脑主板.
产品型号:FDB7030BL
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
最大漏极电流Id(A):60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.009
开启电压VGS(TH)(V):3
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150
描述:30V,60A N-Channel 功率MOSFET
产品型号:HUF76129S3S
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
最大漏极电流Id(A):56
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.016
开启电压VGS(TH)(V):3
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-263 /-55 ~150
描述:30V,56A N-Channel 功率MOSFET
(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
FDB7030BL
FAIRCHILD(飞兆)
SOT-263
普通型
贴片式
800/盘
供应 场效应管 EMA06N03AN,EMA06N03,A06N03A
供应 场效应管 BSC046N02KSG,046N02KS,BSC046N02
供应 场效应管 TPCA8005-H TPCA8018-H
供应 场效应管 TK5A60D,TK5A60,K5A60D
供应 场效应管 SI7658ADP,Si7192DP
供应 场效应管 SSP6N60
供应 场效应管 TPC8053-H TPC8050-H
供应 场效应管 FQP10N60,FQP10N60C,FDP10N60,10N60
供应 场效应管 STK0460F,STK0460,STK0465F,STK0465
供应 场效应管 MDE1752 SUB70N04-10