供应 场效应管 FDB7030BL,FDB7030,HUF76129S3S

地区:广东 深圳
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MOS管,广泛应用于电池充电器,普通电源,智能开关电源,灯具
功率开关,LED,车载,玩具,电动车,电脑主板.
产品型号:FDB7030BL

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

最大漏极电流Id(A):60

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.009

开启电压VGS(TH)(V):3

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):SOT-263  /-55 ~150

描述:30V,60A N-Channel 功率MOSFET

 

产品型号:HUF76129S3S

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

最大漏极电流Id(A):56

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.016

开启电压VGS(TH)(V):3

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):SOT-263  /-55 ~150

描述:30V,56A  N-Channel 功率MOSFET

 

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型号/规格

FDB7030BL

品牌/商标

FAIRCHILD(飞兆)

封装形式

SOT-263

环保类别

普通型

安装方式

贴片式

包装方式

800/盘