图文详情
产品属性
相关推荐
产品型号:TK5A60D
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
最大漏极电流Id(A):5
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):1.43 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4.4
功率PD(W):35
输入电容Ciss(PF):700 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):3
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):189
导通延迟时间Td(on)(ns):40 typ.
上升时间Tr(ns):20 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):60 typ.
下降时间Tf(ns):11 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,5A N-沟道增强型场效应晶体管
TK5A60D,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,5A,1.43Ω
TOSHIBA(东芝)
TO-220F
无铅环保型
直插式
2500/盒
供应 场效应管 SSM3J108TU JJ1
供应 场效应管 BSZ100N03LSG,BSZ100N03,100N03L
供应 ST场效应管 STW77N60M5,77N60M5,原装现货
供应 场效应管 AP4835GM ,AP4835,4835GM
供应 场效应管 TK15A60D,TK15A60,K15A60D
供应 场效应管 FQPF6N80,FQPF6N80C,FQPF7N80
供应 场效应管 AP40P03GH,40P03,40P03GH
供应 场效应管 BSC080N03LSG,080N03LS,BSC080N03
供应600V场效应管,KF12N60F,KF10N60F,12N60,P1060ATF
供应 600V场效应管 KHB4D5N60F 4D5N60F