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供应 场效应管 BSC046N02KSG,046N02KS,BSC046N02

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市金城微零件有限公司

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型    号：BSC046N02KSG
标    记: 046N02KS
类    型：场效应管
通道极性: N通道
封    装：QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
备    注：正品
Parameter Symbol Conditions Value Unit
Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 20 V
Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 80 A
Pulsed drain current IDM TC=25℃ 200 A
Avalanche energy, single pulse EAS ID=50A, RGS=25Ω 151 mJ
Gate source voltage VGS 　 ±12 V
Power dissipation Ptot TC=25℃ 48 W
Gate threshold voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=110µA 1.2 V
Drain-source on-state resistance RDS(on) VGS=4.5V, ID=50A 4.6 mΩ
Input capacitance Ciss VGS=0V,VDS=37.5V, f=1MHz 3100 PF
Transconductance gfs |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=50A 140 S

 


 

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型号/规格

BSC046N02KSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,20V,80A,0.0046Ω.

品牌/商标

INFINEON（英飞凌）

封装形式

QFN-8 5*6/PG-TDSON-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

5000/盘