场效应管 CMB80N70,CMB80N06

产品型号:CMB80N70

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):68

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):80

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.008 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

通道极性:N沟道

应用：

电机控制
DC-DC变换器
开关应用

金城微零件在半导体行业中以主营场效应管而独具特色，特别专注于贴片系列场效应管。贴片封装系列产品（SOT-252，SOP-8，PG-TDSON-8）在锂电池保护板、航模无刷电调、电脑主板、电动玩具、遥控飞机船等领域的应用更为显著。我们以大量现货为优势，可根据参数需要为客户提供应用型号，致力成为该领域在华南地区领先供应商之一，为客户提供相关应用最优质的技术支持。

型号/规格

CMB80N70

品牌/商标

Cmos

封装形式

SOT-263

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

800/盘

供应 场效应管 CMB80N70,CMB80N06

供应场效应管 CMB80N70,CMB80N06