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产品属性
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产品型号:2N7002
封装:SOT-23
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60
夹断电压VGS(V):±20
最大漏极电流Id(A):0.18
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):5 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):0.3
输入电容Ciss(PF):25 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):0.2
温度(℃): -65 ~150
描述:60V,0.18A N-沟道增强型场效应晶体管
应用
移动电源
特点
直接接口的C-MOS,TTL等。
高速开关
无二次击穿。
2N7002,SOT-23,SMD/MOS,N场,60V,0.18A,5Ω
NXP(恩智浦)
SOT-23
无铅环保型
贴片式
3000/盘
供应 场效应管 IRFS740A,IRFS740B,IRFI740A
供应 场效应管 CEB4060A,CEB4060AL,CEB4060
供应 场效应管 AP60N03H,AP60N03GH,60N03H
供应 场效应管 BSC889N03MSG,889N03MS,BSC889N03
供应场效应管 TPCA8023-H
供应 场效应管 CMU1001,CMU1002,CMU12N10
供应 场效应管 FQPF12P20,FQPF7P20,12P20,7P20
供应 场效应管 BSC011N03LS,BSC011N03,011N03LS
供应 场效应管 TK6A60DA,K6A60DA,TK6A60
供应 场效应管 IRF820PBF,IRF830PBF,IRF840PBF