供应 场效应管 SSM6J501NU SSM6J503NU SSM6J505NU

SSM6J505NU,TOSHIBA,UDFN6B,SMD/MOS,P场,-12V,-12A,0.012Ω,带二极静电保护

产品型号:SSM6J505NU

MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)

应用:

 * 电源管理开关
特点
（1）1.2 V的栅极驱动电压。
（2）低漏源导通电阻:RDS(ON) = 61 mΩ (max) (@VGS = -1.2 V)
                   :RDS(ON) = 30 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V)
                   :RDS(ON) = 21 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V)
                   :RDS(ON) = 16 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)
                   :RDS(ON) = 12 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)

封装:UDFN6B

品牌：TOSHIBA/东芝

通道极性:P沟道

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-12V

夹断电压VGS(V):±6

最大漏极电流Id(A):-12

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.012 @VGS = -4.5 V

开启电压VGS(TH)(V):-1

功率PD(W):1.25

输入电容Ciss(PF):2700 typ.

低频跨导gFS(s)：24

导通延迟时间Td(on)(ns):46 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):420 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:SSM6J505NU,-12V,-12A P-沟道增强型场效应晶体管

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