供应 场效应管 IPP80P03P4L-07 4P03L07

IPP80P03P4L-07,TO-220,DIP/MOS,P场,-30V,-80A,0.0072Ω
OptiMOS-P2 Power-Transistor

特点
 * P-沟道增强模式 - 逻辑电平 -
 * AEC资格
 * MSL1高达260℃峰值回流
 * 175°C的工作温度
 * 绿色封装（符合RoHS）
 * 100％的雪崩测试
 * 拟反向电池保护

产品型号:IPP80P03P4L-07

封装:TO-220

品牌：INFINEON/英飞凌

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30

夹断电压VGS(V):+5/-16

最大漏极电流Id(A):-80

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0072 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):-2

功率PD(W):88

输入电容Ciss(PF):4400 typ.

通道极性:P沟道

低频跨导gFS(s)：

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):135

导通延迟时间Td(on)(ns):8 typ.

上升时间Tr(ns):4 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):15 typ.

下降时间Tf(ns):60 typ.

温度(℃): -55 ~175

描述:IPP80P03P4L-07,-30V,-80A P-沟道增强型场效应晶体管

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