供应 场效应管 AOTF13N50,TF13N50,AOTF16N50,TF16N50

产品型号:AOTF13N50

概述
该AOT13N50和AOTF13N50已制作采用了先进的高电压MOSFET的过程，目的是在热门的

AC-DC应用提供高水平的性能和鲁棒性。
通过提供低导通电阻RDS（ON），Ciss和Crss一起雪崩能力保证这些部件可以通过迅

速进入新的和现有的离线电源设计。

应用范围：
 * 电源开关电路的电源适配器和充电器。
 * HID灯
 * 节能灯镇流器
 * 逆变器

封装:TO-220F

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):13

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.51 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4.5

功率PD(W):50

输入电容Ciss(PF):1361 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)16

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):908

导通延迟时间Td(on)(ns):29 typ.

上升时间Tr(ns):69 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):82 typ.

下降时间Tf(ns):55.5 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:500V,13A 0.51Ω N-沟道增强型场效应晶体管

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