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产品属性
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产品型号:TK12E60U
封装:TO-220
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
最大漏极电流Id(A):12
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.4 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):144
极间电容Ciss(PF):720
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):7
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):69
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,12A MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)
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TK12E60U
TOSHIBA(东芝)
TO-220F
无铅环保型
直插式
1K/盒
大功率
供应 场效应管 IRF840,IRF840PBF,IRF840B
供应 场效应管 CMF8N60,CMF5N60,CMF12N60,CMF10N60
供应 场效应管 AP70T03AH,AP70T03,70T03AH,70T03H
供应 AP场效应管 AP15N03GH , 15N03 ,15N03GH
供应 场效应管 IRLR8729,IRLR8729TRLPBF,LR8729
供应 场效应管 FQD12P10,D12P10,FQD12P10TM
供应 场效应管 BSC100N10NSFG,100N10NS
供应 场效应管 AO3434,AO3434A,AO3438
供应 场效应管 EMD50N15F,D50N15F,EMD50N15
供应 场效应管 IPG20N04S4L-07,4N04L07