供应 场效应管 BSC100N10NSFG,100N10NS

型   号：BSC100N10NSFG    
标   记: 100N10NS    
类   型：场效应管    
通道极性:N通道    
封   装：QFN-8 5*6/PG-TDSON-8    
备   注：正品    
Parameter Symbol Conditions Value Unit
Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 100 V
Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 90 A
Pulsed drain current IDM TC=25℃ 360 A
Avalanche energy, single pulse EAS ID=50A, RGS=25? 377 mJ
Gate source voltage VGS  ±20 V
Power dissipation Ptot TC=25℃ 156 W
Gate threshold voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=110µA 4 V
Drain-source on-state resistance RDS(on) VGS=10V, ID=25A 10 m?
Input capacitance Ciss VGS=0V,VDS=37.5V, f=1MHz 2200 PF
Transconductance gfs |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=50A 61 S