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产品属性
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产品型号:2SK3767
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
最大漏极电流Id(A):2
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):4.5 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):25
输入电容Ciss(PF):320 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):1.6
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):93
导通延迟时间Td(on)(ns):55 typ.
上升时间Tr(ns):15 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):80 typ.
下降时间Tf(ns):20 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,2A N-沟道增强型场效应晶体管
2SK3767,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,2A,4.5Ω
TOSHIBA(东芝)
TO-220F
无铅环保型
直插式
2500/盒
供应 场效应管 2SK3399 K3399
供应 场效应管 FQPF10N20C,FQPF32N20C,FQPF10N20
供应 场效应管 IRLS530A,IRFS530A,IRLI530A
供应 场效应管 AOT12N65,AOT10N65,T12N65
供应 场效应管 TK6A65,TK6A65D,K6A65D
供应 场效应管 AO6800L , AO6800 ,H01D
供应 场效应管 FQPF1N60,FQPF2N60C,FQPF3N60
供应 场效应管 FDP2532,FDP79N15,STP80NF12
供应 场效应管 IPG20N04S4L-07,4N04L07
供应 场效应管 SI7636DP-T1-E3,SI7636DP