供应 场效应管 AO6800L , AO6800 ,H01D

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产品型号:AO6801L

源漏极间雪崩电压VDSS(V):-30

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.135

最大漏极电流Id(on)(A):-2.3

通道极性:双P沟道


封装/温度(℃):TSOP-6/-55 ~150


描述:-30V 2.3A功率
MOSFET

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产品型号:AO6800L

源漏极间雪崩电压VDSS(V):30

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.06

最大漏极电流Id(on)(A):3.4A

通道极性:双N沟道


封装/温度(℃):TSSOP-6/-55 ~150


描述:30V 3.4A功率
MOSFET

型号/规格

AO6800L

品牌/商标

AO

封装形式

TSOP-6

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

3000/盘

功率特征