供应 场效应管 2SK3467 2SK3467-ZK K3467

产品型号:2SK3467-ZK MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
N-沟道功率MOSFET
应用:
开关
工业用途

特点:
 * 4.5 V可驱动
 * 低通态电阻 RDS(on)1 = 6.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A)
 * 低栅极电荷 QG = 55 nC TYP. (ID = 80 A, VDD = 16 V, VGS = 10 V)
 * 内置栅极保护二极管
 * 表面贴装器件

封装:SOT-263

品牌：NEC

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):80

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.006 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2.5

功率PD(W):76

输入电容Ciss(PF):2800 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：20

导通延迟时间Td(on)(ns):16 typ.

上升时间Tr(ns):23 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):74 typ.

下降时间Tf(ns):31 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:2SK3467-ZK,20V,80A,0.006Ω N-沟道增强型场效应晶体管

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