供应 800V 场效应管 HFU1N80 1N80

产品型号:HFU1N80 800V N-Channel MOSFET

封装:TO-251

品牌：SemiHow

特点:
 * 有创意的新设计
 * 高级雪崩坚固的技术
 * 强劲的栅极氧化层技术
 * 非常低的固有电容
 * 优良的开关特性
 * 无与伦比的栅极电荷：7.5NC(TYP.）
 * 扩展安全工作区
 * 更低的RDS（ON）：13Ω(TYP.）@ VGS= 10V

 *源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):800

 *最大漏极电流Id(A):1

MOS管介绍

在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，一般都要考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等因素。
MOSFET管是FET的一种，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，一般主要应用的为增强型的NMOS管和增强型的PMOS管，所以通常提到的就是这两种。
这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。
在MOS管内部，漏极和源极之间会寄生一个二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载(如马达)，这个二极管很重要，并且只在单个的MOS管中存在此二极管，在集成电路芯片内部通常是没有的。
MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免。 

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