供应 场效应管 AOP605,AOP600,AOP607,P605,P600

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产品型号:AOP605

源漏极间雪崩电压VDSS(V):30/-30

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.028

最大漏极电流Id(on)(A):7.5/-6.6

通道极性:N+P沟道


封装/温度(℃):DIP-8/-55 ~150
描述:30V 7.5A /-30V -6.6A功率MOSFET

产品型号:AOP600

源漏极间雪崩电压VDSS(V):30/-30

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.028

最大漏极电流Id(on)(A):7.5/-6.6

通道极性:N+P沟道


封装/温度(℃):DIP-8/-55 ~150


描述:30V 7.5A / -30V,-6.6A功率
MOSFET

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产品型号:AOP607

源漏极间雪崩电压VDSS(V):60

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.056

最大漏极电流Id(on)(A):4.7A

通道极性:N+P沟道


封装/温度(℃):DIP-8/-55 ~150


描述:60V 4.7A/-60V -3.4A功率
MOSFET

型号/规格

AOP605,DIP-8,N+P,30V,7.5A/-30V,-6.6A

品牌/商标

AO

封装形式

DIP-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

50/管

功率特征